采用不同烧结温度(1 000～1 120℃)制备ZnO压敏电阻瓷,通过扫描电镜分析显微结构,探讨烧结温度对ZnO压敏电阻瓷小电流性能的影响机理.结果表明:烧结温度在1 020℃、保温90 min时,ZnO压敏电阻瓷的性能较好,电位梯度达到408V/mm,漏电流为1.8 μA,非线性系数为37;烧结温度在1 000℃时,电位梯度可达475 V/mm.
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