基体温度对金刚石厚膜沉积质量的影响

材料科学与工艺, 2003, 11(3): 324-326. doi: 10.3969/j.issn.1005-0299.2003.03.028

基体温度对金刚石厚膜沉积质量的影响

黄树涛 ^1, , 刘兴文 ^2, , 许立福 ^3, , 于骏一 ^4,

1.沈阳工业学院,机械工程分院,沈阳,110168;吉林大学,机械科学与工程学院,长春,130025

2.沈阳工业学院,机械工程分院,沈阳,110168;吉林大学,机械科学与工程学院,长春,130025

3.沈阳工业学院,机械工程分院,沈阳,110168;吉林大学,机械科学与工程学院,长春,130025

4.沈阳工业学院,机械工程分院,沈阳,110168;吉林大学,机械科学与工程学院,长春,130025

基金项目: 吉林省沈阳市科研项目(200050029-00)

关键词：化学气相沉积 , 燃焰法 , 金刚石厚膜

Effect of substrate temperature on depositing quality of diamond thick film

为探讨燃焰法沉积高质量金刚石厚膜的可能及其沉积速率,在反应气体流量比O2/C2H2=0.97～1范围内,研究了基体温度对燃焰法沉积金刚石厚膜的影响.结果表明,基体温度在610～730℃范围内可沉积出均匀、致密、结晶形态优良的金刚石厚膜;金刚石厚膜沉积速率随基体温度的下降而下降,基体温度约为730℃时,可以约50μm/h的较高速率沉积出淡黄色透明状高质量金刚石厚膜.当基体温度在820℃左右的高温时,金刚石厚膜不均匀,晶粒间存在较大间隙,且在金刚石厚膜生长过程中,存在较多的二次成核.

参考文献

[1]	吕反修 .CVD金刚石膜的产业化应用与目前存在的问题[J].新材料产业,2003,7:63-67.
[2]	黄树涛,张志军,姚英学,袁哲俊.燃焰法沉积高品质透明金刚石薄膜的研究[J].人工晶体学报,1999(01):74-78.
[3]	林彰达;孙碧武 .亚稳态CVD合成金刚石的机理[J].膜科学与技术,1991,4(03):69-76.

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