离子束合成的钇硅化物结构相变研究

材料科学与工艺, 2003, 11(4): 370-371. doi: 10.3969/j.issn.1005-0299.2003.04.010

离子束合成的钇硅化物结构相变研究

王文武 ^1, , 姜宁 ^2, , 谢二庆 ^3, , 贺德衍 ^4,

1.兰州大学,物理系,甘肃,兰州,730000

2.兰州大学,物理系,甘肃,兰州,730000

3.兰州大学,物理系,甘肃,兰州,730000

4.兰州大学,物理系,甘肃,兰州,730000

基金项目: 教育部优秀青年教师资助计划国家自然科学基金(10175030)

关键词：钇硅化物 , 离子注入 , 固相反应 , 原位方块电阻测量

Structural phase transformation in yttrium silicide prepared by ion beam synthesis

为了获得高品质的欧姆接触和线路连接材料,利用离子注入方法在n型单晶Si(111)基底上制备了钇硅化物,并对其在高真空下红外光辐照处理过程中的结构相变进行了研究.X射线衍射测量表明,在Y离子注入过程中已形成了部分六方相YSi2,800℃下红外光辐照处理30 min后YSi2呈现出择优结晶取向.从辐照过程中原位测量样品的方块电阻变化发现,当温度升至160℃时,Y与Si反应首先形成了斜方相YSi.YSi/YSi2的相转变出现在240℃,随温度的进一步升高,Y原子完全与Si原子发生反应,形成了结晶取向良好的六方相YSi2.

参考文献

[1]	VANDRES;KALKA T;PREINESBERGER C et al.Epitaxial growth and electronic structure of lanthanide silicides on n - type Si(111)[J].Journal of Vacuum Science and Technology B:Microelectronics and Nanometer Structures,1999(17):1662-1690.
[2]	G. L. Molnar;G. Peto;Z. Vertesy;E. Zsoldos .Kinetic shape formation during Gd thin film and Si(100) solid phase reaction[J].Applied physics letters,1999(12):1672-1674.
[3]	SUU H V;PETOG;MEZEY G et al.Formation of GdSi2 under UHV evaporation and in situ annealing[J].Applied Physics Letters,1986,48:437-439.
[4]	TU K N;THOMPSON R D;TSAUR B Y .Low Schottky barrier of rare - earth silicide on n - Si[J].Applied Physics Letters,1981,38:626-628.
[5]	ALFORDT L;BORGESEN P;MAYER J W .Ioninduced formation of stable and metastable phases in the Y- Si system[J].Applied Physics Letters,1991,58:1848-1850.

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