为了解决电弧离子镀(AIP)工艺中脉冲偏压电源与AIP等离子体负载间的匹配问题,结合脉冲偏压下AIP工艺实验,运用等离子体鞘层理论、电路理论和仿真模拟技术,得到AIP等离子体负载本质上是由鞘层引起的容性负载,在电路中可以等效为电容和电阻相并联的单元;根据AIP等离子体鞘层演化的特性,将AIP等离子体负载的等效电容表征为与时间无关而只与脉冲偏压幅度和等离子体相关参数有关的量,AIP等离子体负载的等效电阻,可以在直流偏压下通过测量与脉冲偏压幅值对应的AIP等离子体负载电流来确定.经验证,本文建立的AIP等离子体负载的等效电路模型及其定量表征是有效性的.
参考文献
[1] | OLBRICH W;FESSMANN J;KAMPSCHULTE G et al.Improved control of TiN coating properties using cathodic ale evaporation with a pulsed bias[J].Surface and Coatings Technology,1991,49:258-262. |
[2] | PERRY A J;TIAN A F;TREGLIO J R et al.Thin TiN and TiB2 coatings with low residual stress deposited at different temperatures by cathodic arc ion plating[J].Surf Coat Teehn01,1994,68/69:528-535. |
[3] | LI Z Y;ZHU W B;ZHANG Y et al.Effects of superimposed pulsed bias on TiN coating in cathodic arc deposition[J].Surface and Coatings Technology,2000,131:158-161. |
[4] | G.Q.Lin,Z.F.Ding,D.Qi,N.H.Wang,M.D.Huang,D.Z.Wang,Y.N.Wang,C.DONG,L.S.Wen.FUNDAMENTAL PROBLEMS IN PULSED-BIAS ARC DEPOSITION[J].金属学报(英文版),2002(01):91-103. |
[5] | J.A.埃德米尼斯特尔;雷银照;吴静.工程电磁场基础[M].北京:科学出版社,2002 |
[6] | 戚栋 .电弧离子镀的等离子体负载特性与脉冲偏压电源研究[D].大连理工大学,2005. |
[7] | Briehl B.;Urbassek HM. .Simulation of sheath and presheath dynamics in PIII[J].Surface & Coatings Technology,2002(1/3):131-135. |
[8] | 于炯.等离子体源离子注入鞘层时空演化的研究[J].核聚变与等离子体物理,1995(04):8. |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分:
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%