介绍用脉冲电子束烧蚀法在不同温度的单晶硅 (110) 衬底上沉积铌酸锂铁电薄膜,以及用脉冲电子束进行薄膜晶化处理的实验结果; 使用扫描电子显微镜 (SEM)、X射线衍射(XRD)、光电子能谱(XPS) 等方法,对薄膜的成份、晶体结构及表面形貌进行分析测试.采用表面轮廓仪测定 LN薄膜的膜厚分布均匀性等.文中探讨了靶材料烧蚀和沉积过程中出现的诸多现象.研究表明,这种薄膜制备方法有许多独特之处,随着该项技术的不断改进和发展,将为光电集成电路提供一种新工艺和新技术.
参考文献
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