反应磁控溅射制备的Cr-N薄膜的成相行为

金属功能材料, 2004, 11(4): 26-28. doi: 10.3969/j.issn.1005-8192.2004.04.007

反应磁控溅射制备的Cr-N薄膜的成相行为

赵韦人 ^1, , 李鸣楚 ^2, , 伍锦添 ^3, , 於元炯 ^4,

1.汕头大学应用物理系,广东,汕头,515063

2.汕头大学应用物理系,广东,汕头,515063

3.汕头大学应用物理系,广东,汕头,515063

4.浙江师范大学物理系,浙江,金华,321004

关键词：反应磁控溅射 , Cr-N薄膜 , X射线衍射 , 相

Phase Constitution in Cr-N Films Prepared by Reactive Magnetron Sputtering Method

采用反应磁控溅射在不锈钢衬底上制备Cr-N薄膜,并研究了基片温度、氮气分压和溅射功率变化对薄膜相组成的影响.结果表明,基片温度升高使薄膜由单一的CrN相变成CrN和Cr2N两相共存,同时使有效的沉积速率下降;在基片温度为373K、溅射功率约45W时,氮气和氩气流量比在1:4到3:2的范围内变化时,薄膜的相组成几乎没有明显的变化;过高的溅射功率使薄膜以非晶态的形式存在.热处理后的Cr-N薄膜通常有CrN和Cr2N两相共存.

参考文献

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