采用蒙特卡罗方法(MC方法),模拟了质子辐照时质子的能量损失、射程、射程偏离及其产生的空位缺陷和电离能损分布.模拟结果表明:入射能量在10～300 keV区间,Kapton/Al对入射质子的阻止本领主要取决于电子阻止本领,在80 keV出现峰值,可作为地面模拟试验能量选取的参考;质子在Kapton/Al中的射程分布可近似看作高斯分布,质子射程及其偏离随能量增加而增加;位移缺陷和电离作用是两个相对的过程,低能时主要表现为位移缺陷,高能时表现为电离作用.
参考文献
| [1] | 高慎斌.卫星制造技术[M].北京:宇航出版社,1998 |
| [2] | Kanner H S;Stuckey C I;Davis D W .Recession curve generation for space shuttle solid rocket booster thermal protection system coatings[AIAA 2002-3334][R]. |
| [3] | Chundong Li;Dezhuang Yang;Shiyu He .Effect of electron exposure on optical properties of aluminized polyimide film[J].Journal of Materials Research,2002(9):2442-2446. |
| [4] | 李春东,杨德庄,何世禹,M.M.Mikhailov.电子辐照能量对Kapton/Al热控涂层光学性能的影响[J].强激光与粒子束,2003(08):741-745. |
| [5] | Miyagawa Y;Nakadate H;Djurabekova F .Dynamicsasamal:simulation software for high-dose ion implantation[J].Surface and Coatings Technology,2002,158(159):87-93. |
| [6] | 王同权,沈永平,张若棋,王尚武,张树发.空间辐射效应的蒙特-卡罗模拟[J].强激光与粒子束,2000(03):339-342. |
| [7] | 陈世彬,张义门,陈雨生,黄流兴,张玉明.质子和1MeV中子在硅中能量沉积的模拟计算[J].高能物理与核物理,2001(04):365-370. |
| [8] | Dinter H;Leuschner A;Tesch K .The field of scattered radiation in the tunnel of the proton storage ring HERA:measurements and calculations[J].Nuclear Instrument and Methods in Physics Research A,1999,438:560-572. |
| [9] | 孙友梅,朱智勇,金运范,王志光,侯明东.高能136Xe离子辐照聚酰亚胺化学改性的电子能损效应[J].核技术,2004(03):213-216. |
| [10] | Ziegler J F;Biersack J P;Littmark U.The stopping and range of ions in solids[M].New York:Pergamon Press,1985 |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分：
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%