AlGaInP高亮度发光二极管

液晶与显示 , 1999, 14(2): 110-114. doi: 10.3969/j.issn.1007-2780.1999.02.005

AlGaInP高亮度发光二极管

李玉璋 ^1, , 王国宏 ^2, , 马骁宇 ^3, , 曹青 ^4, , 王树堂 ^5, , 陈良惠 ^6,

1.中国科学院半导体所,光电子器件国家工程研究中心,北京,100083

2.中国科学院半导体所,光电子器件国家工程研究中心,北京,100083

3.中国科学院半导体所,光电子器件国家工程研究中心,北京,100083

4.中国科学院半导体所,光电子器件国家工程研究中心,北京,100083

5.中国科学院半导体所,光电子器件国家工程研究中心,北京,100083

6.中国科学院半导体所,光电子器件国家工程研究中心,北京,100083

基金项目: 国家科技攻关项目

关键词： AlGaInP , 发光二极管 , 低压有机金属气相外延

High Brightness AlGaInP Orange Light Emitting Didoes

分析了AlGaInP材料的特点和AlGaInP高亮度发光二极管发光效率的决定因素,对目前国际上研究比较成熟的一些典型结构进行了综合分析,从理论上指出AlGaInP发光二极管在橙黄波段的发光效率的最终决定因素是光的提取效率,而在黄绿波段是发光二极管的内量子效率.并利用LP-MOCVD技术制备了cd级橙黄高亮度发光二极管,发光波长峰值在605nm,FWHM为18.3nm,20mA工作电流下,5.08cm(2英寸)外延片管芯平均轴向发光强度为20mcd,最大30mcd,平均工作电压1.9V,透明峰值角度2θ1/2=15°时轴向发光强度达到1000mcd.

参考文献

[1]	Maranowski S A, Camras M D et al., SPIE 1997, 3002, 110
[2]	Chang C S, Su Y K et al., IEEE Journal of Quantum Electronics, 1998, 34, 1
[3]	张万生,梁春广,半导体情报,1997,34,9

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