氢化非晶硅的红外光谱及氢释放的研究

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基金项目: 中国科学院院长基金

Infrared Spectrum and Hydrogen Release of Hydrogenated Amorphous Silicon

用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)制备了氢化非晶硅薄膜(a-Si∶H)并进行了退火实验,利用红外吸收光谱(IR)和金相显微镜研究薄膜中的氢含量及退火前后的脱氢现象,得出材料组成及热稳定性对衬底温度Ts和射频功率Prf的依赖关系.

[1]	Cohen M H,Fritzsche H,Ovshinshy S R,Phys.Rev.Lett.,1969, 22(21):1065.
[2]	Ablen R, Weaire D, Smith J E et al., Phys. Rev., 1975, B11:1564
[3]	陈治明,非晶半导体材料与器件,科学出版社,1997,62
[4]	Abrahans E,Anderson P W,Licciardello D C ed al.,Phys. Rev.Lett.,1979,42(11):673
[5]	Shanks H,Fang C J,Ley L ed al.,Phys.Stat.Sol.(b),1980,100:43
[6]	陈治明,非晶半导体材料与器件,科学出版社,1997,135
[7]	Myburg G,Swanepiel R,Japanese Journal of Applied Physics,1988,27(6),899

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