氮化硼薄膜的场致发射特性

液晶与显示 , 2002, 17(1): 44-48. doi: 10.3969/j.issn.1007-2780.2002.01.008

氮化硼薄膜的场致发射特性

顾广瑞 ^1, , 何志 ^2, , 李英爱 ^3, , 王翠 ^4, , 冯伟 ^5, , 赵永年 ^6,

1.吉林大学,超硬材料国家重点实验室,吉林,长春,130023;延边大学,理工学院,吉林,延吉,133002

2.吉林大学,超硬材料国家重点实验室,吉林,长春,130023

3.吉林大学,超硬材料国家重点实验室,吉林,长春,130023

4.青岛化工学院,信控学院,山东,青岛,266042

5.吉林大学,超硬材料国家重点实验室,吉林,长春,130023

6.吉林大学,超硬材料国家重点实验室,吉林,长春,130023

基金项目: 国家自然科学基金(59831040)

关键词： BN薄膜 , 场发射 , 偏压

Field Emission Characteristics of BN Thin Films

研究了氮化硼(BN)薄膜的场发射特性与不同基底偏压和不同膜厚的关系.在磁控溅射反应器中,使用高纯六角氮化硼(h-BN)靶,通入Ar和N2的混合气体,制备出了纳米BN薄膜.溅射是在基底加热470℃和总压力为1.2Pa的条件下进行的.在超高真空系统中测量了不同膜厚和不同基底偏压的BN薄膜的场发射特性,发现BN薄膜的场发射特性与基板偏压和膜厚关系很大.

参考文献

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Field Emission Characteristics of BN Thin Films

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