讨论了微波管用电子枪的一般参数和要求,对于在微波管中应用场发射阵列阴极电子枪的情况作了分析,表明其中存在的主要问题是电子注散焦.通过比较场发射电子注聚焦的几种方法,利用传统电子枪整体聚焦的思想,初步设计了一个场发射阵列阴极电子枪模型,它包括场致发射阵列阴极,一个Whelnelt电极,一个聚焦电极和一个阳极.通过利用Mafia软件对电子注轨迹的模拟计算,对电子枪的聚焦部分进行了改进.
参考文献
| [1] | Spindt C A.A thin film field emission cathode[J].J.Appl.Phys.,1968,39(7):3504-3507. |
| [2] | Spindt C A.Physical properties of thin film field emission cathode with molybdenum cones[J].J.Appl.Phys.,1976,47(12):5248-5263. |
| [3] | 李兴辉.用于行波管中的场致发射阵列阴极(FEA)的研制[D].北京:北京真空电子技术研究所,2000. |
| [4] | Imura H,et al.Electron gun design for TWTs using a FEA cathode[A].IEDM'97,Technical Digest[C].1997. |
| [5] | Bandy S G,et al.Application of gated FEA in microwave amplifier tubes[A].11th IVMC Technical Digest[C].Germany:Darmstadt,University of Technology,1999,132-133. |
| [6] | Whaley D R,et al.Operation of a TWT amplifier with a FEA electron source[A].2000 IEEE IVESC Technical Digest[C].Florida,Orlando,2000,234-236. |
| [7] | 冯进军.场发射阵列阴极及其射频应用研究[D].北京:北京真空电子技术研究所,2001. |
| [8] | Toma Yasushi,et al.Electro beam characteristics of double-gated Si field emission arrays[A].8th IVMC Technical Digest[C].Oregen,Portland,1995,9-13. |
| [9] | Whaley D R,et al.Application of FEA to microwave power amplifiers[J].IEEE Trans.On Plasma Science,2000,28(3):727-747. |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分：
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%