氧化对 GaN 基LED透明电极接触特性的影响

液晶与显示 , 2004, 19(1): 1-4. doi: 10.3969/j.issn.1007-2780.2004.01.001

氧化对 GaN 基LED透明电极接触特性的影响

秦志新 ^1, , 陈志忠 ^2, , 于彤军 ^3, , 张昊翔 ^4, , 胡晓东 ^5, , 杨志坚 ^6, , 李忠辉 ^7, , 张国义 ^8,

1.北京大学,物理学院,介观物理实验室,北京,100871

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基金项目: 国家自然科学基金(60276010) 国家高技术研究发展计划(863计划)(2001AA313060)

关键词：氮化镓基LED , 欧姆接触 , 氧化

Reversible Effect of the Thermal Processing of Ni/Au Ohmic Contact to p-GaN

研究了热退火对InGaN/GaN 多量子阱LED的Ni/Au-p-GaN欧姆接触的影响.发现在空气和 N2气氛中交替地进行热退火的过程中Ni/Au接触特性显示出可逆现象. Ni/Au-p-GaN接触的串联电阻在空气中随合金化时间逐渐减小,在随后的 N2 中的热退火后会使该串联电阻增加,但在空气中再次热退火能使接触特性得到恢复.同时对Ni/Au-p-GaN 接触在空气中合金化过程中的层反转的成因进行了讨论.

参考文献

[1]	Ho J K,Jong C S,Chiu C C. Low-resistance ohmic contacts to p-type GaN achieved by the oxidation of Ni/Au films[J]. J. Appl. Phys., 1999,86:4491-4497.
[2]	Chen L C,Chen F R,Kai J J. Microstructural investigation of oxidized Ni/Au ohmic contact to p-type GaN[J]. J. Appl. Phys., 1999,86:3826-3832.
[3]	Ho J K,Jong C S,Chiu C C. Low-resistance ohmic contacts to p-type GaN[J]. Appl. Phys. Lett.,1999, 74(9):1275-1277.
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[6]	Narayan J,Wang H. Formation of epitaxial Au'Ni'Au ohmic contacts to p-GaN[J]. Appl. Phys. Lett.,2002, 81(21): 3978-3980.

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