(111)A InP衬底上MOCVD外延InGaAsP的表面形貌和光学特性

液晶与显示 , 2004, 19(2): 87-91. doi: 10.3969/j.issn.1007-2780.2004.02.003

(111)A InP衬底上MOCVD外延InGaAsP的表面形貌和光学特性

刘瑞东 ^1, , 于丽娟 ^2, , 芦秀玲 ^3, , 黄永箴 ^4, , 张福甲 ^5,

1.中国科学院,半导体研究所,集成光电子学国家重点实验室,北京,100083;兰州大学,物理科学与技术学院,甘肃,兰州,730000

2.中国科学院,半导体研究所,集成光电子学国家重点实验室,北京,100083

3.中国科学院,半导体研究所,集成光电子学国家重点实验室,北京,100083

4.中国科学院,半导体研究所,集成光电子学国家重点实验室,北京,100083

5.兰州大学,物理科学与技术学院,甘肃,兰州,730000

基金项目: 国家重点基础研究发展计划(973计划)(G2000036606) 国家高技术研究发展计划(863计划)(2003AA311070)

关键词： V/Ш比 , 表面形貌 , 光学特性 , (111)A , InGaAsP

Surface Morphology and Optical Property of InGaAsP Layers on (111) A InP Substrates by MOCVD

为了研究(111)衬底的特性以及实现等边三角形微腔激光器,利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)研究了(111)A InP衬底上InGaAsP外延层的表面形貌和光学特性.考虑到(111)A InP衬底的悬挂键密度比较低,在生长过程中有意提高了V/Ш比.通过扫描电子显微镜(SEM)和光荧光(PL)谱分别研究了外延层的表面形貌和光学特性.实验发现,表面形貌和光学特性随V/Ш比和温度的变化非常大.最佳V/Ш比和温度分别为400和625 ℃.

参考文献

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