p-Si薄膜生长的ECR-CVD等离子体系统的结构设计

1.中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130033;吉林大学,电子科学与工程学院,吉林,长春,130023

2.吉林大学,材料科学与工程学院,吉林,长春,130023

3.吉林大学,物理学院,教学中心,吉林,长春,130022

4.中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130033;吉林大学,电子科学与工程学院,吉林,长春,130023

5.中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130033

6.中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130033

7.中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130033

基金项目: 国家自然科学基金(19974046,59973020,60277033) 吉林省科技厅科研项目(20010579,20020603)

Discussion on the Structure of ECR-CVD Plasma System for Growing p-Si Films

提出了一种生长p-Si薄膜的ECR-PECVD等离子体系统.系统采用永磁铁和线圈相结合,改善反应室磁场的均匀性;微波窗口设计成多层结构,避免窗口污染;衬底托架移动和旋转利于改善生长膜的均匀性.

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