以氯化铟和氯化锡为前驱物,采用溶胶-凝胶法在玻璃基片上制备了ITO薄膜.研究了掺锡浓度、热处理温度和热处理时间等工艺条件对ITO薄膜光电特性的影响.制备的ITO薄膜的方阻为300Ω/□,可见光平均透过率为80%,电阻率为4×10-3Ω·cm,其光电特性已达到了TN-LCD透明电极的要求.
参考文献
[1] | Biai I,Quintela M,Mendes L, et al. Performances exhibited by large area ITO layers produced by R. F. magnetron sputtering[J].Thin Solid Films, 1999,337:171-175. |
[2] | NODA Kazuhiro, SATO Hirotoshi, ITATY Hisao, et al. Characterization of Sn - doped In2 O3 film on roll - to - roll flexible plastic substrate prepared by DC magnetron sputtering[J]. Jpn. J. Appl. Phys. , 2003,42: 217-222. |
[3] | 黄土勇,曲凤钦,苗晔.真空和射频溅射对ITO膜性能的影响[J].真空,1999,(2):15-17. |
[4] | 王刚,刘宏宇,赵超,等.低阻高透过率ITO薄膜的制备与性能[J].液晶与显示,1999,14(1):23-27. |
[5] | 杨志伟,韩圣浩,杨田林,等.柔性衬底ITO膜的性质与制备参数关系的研究[J].太阳能学报,2001,22(3):256-261. |
[6] | 马瑾,赵俊卿,叶丽娜,等.柔性衬底ITO导电膜的低温制备及特性研究[J].半导体光电,1999,20(6):47-49. |
[7] | Lau S,Kaiser N,Zoller A, et al. Room-temperature deposition of indium tin oxide thin films with plasm aion-assisted evaporation [J]. Thin Solid Films, 1998,335:1-5. |
[8] | 刘世友.铟锡氧化物薄膜的生产现状与应用[J].材料科学与工程,1999,17(2):98-100. |
[9] | 李玉增,赵谢群.氧化铟锡薄膜材料开发现状与前景[J].稀有金属,1996,20(6):455-458. |
[10] | 张树高,黄伯云,方勋华.ITO薄膜的半导体机理、用途和制备方法[J].材料导报,1997,11(4):11-14. |
[11] | 马颖,张方辉,牟强.ITO膜透明导电玻璃的特性、制备和应用[J].陕西科技大学学报,2003,21(4):106-109. |
[12] | 逢茂林,林君,于敏,等.发光薄膜的制备及应用[J].液晶与显示,2002,17(5):372-280. |
[13] | 范志新,孙以材,陈玖琳.氧化物半导体透明导电薄膜的最佳掺杂含量理论计算[J].半导体学报,2001,22(11):1382-1386. |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分:
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%