氧化锌纳米颗粒缺陷能级发光特性研究

液晶与显示 , 2004, 19(6): 431-433. doi: 10.3969/j.issn.1007-2780.2004.06.005

氧化锌纳米颗粒缺陷能级发光特性研究

李成斌 ^1, , 徐至展 ^2, , 贾天卿 ^3, , 冯东海 ^4, , 孙海轶 ^5, , 李晓溪 ^6, , 徐世珍 ^7,

1.中国科学院,上海光学精密机械研究所,强光光学重点实验室,上海

2.中国科学院,上海光学精密机械研究所,强光光学重点实验室,上海

3.中国科学院,上海光学精密机械研究所,强光光学重点实验室,上海

4.中国科学院,上海光学精密机械研究所,强光光学重点实验室,上海

5.中国科学院,上海光学精密机械研究所,强光光学重点实验室,上海

6.中国科学院,上海光学精密机械研究所,强光光学重点实验室,上海

7.中国科学院,上海光学精密机械研究所,强光光学重点实验室,上海

基金项目: 国家重点基础研究发展计划(973计划)(G1999075200) 上海市基础科技项目(0159nm022)

关键词：光致发光 , 飞秒激光 , 氧化锌纳米颗粒 , 缺陷

Photoluminescence Characterization of Zinc Oxide Nanoparticle Defects

报道了在室温下用荧光光谱仪和飞秒脉冲激光激发诱导光致发光,获得氧化锌纳米颗粒(平均直径约为10 nm)缺陷发光光谱的实验,验证了氧化锌纳米颗粒缺陷能级的位置.锌填隙缺陷在距离导带底0.4 eV处产生浅施主能级,锌空位缺陷在价带顶0.3 eV处产生浅受主能级,氧锌替位缺陷在价带顶1.08 eV处产生深受主能级,在导带底1.56 eV处有氧空位缺陷引起的深杂质能级产生,氧填隙缺陷在价带顶1.35 eV处产生深受主能级.

参考文献

[1]	Yoshino K, Yoneta M , Saito H, et al. Photoluminescence and photoacoustic spectra of N-doped ZnSe epitaxial[J]. J. Cryst. Growth,2000,214/215:572-575.
[2]	Li X, Shao C, Qiu S, et al. Blue photoluminescence from SiC nanoparticles encapsulated in ZSM-5[J]. Mater.Lett.,2001, 48(3/4):242-246.
[3]	Klingshirn C. The luminescence of ZnO under high one- and two-quantum excitation[J].Phys.Stat.Sol.B,1975,71(2):547-559.
[4]	Yamada Y, Mishina T, Masumoto Y, et al.Time-resolved nonlinear luminescence of biexcitons in ZnSe-ZnxMg1-xSySe1-y single quantum wells[J]. Phys. Rev. B., 1995,52(4/15):2289-2292.
[5]	Bylander E G. Surface effects on the low-energy cathodoluminescence of zinc oxide[J]. J. Appl. Phys., 1978,49(3):1188-1195.
[6]	Vanheusden K, Seager C H, Warren W L, et al. Correlation between photoluminescence and oxygen vacancies in ZnO phosphors[J].Appl. Phys. Lett.,1996,68(3):403-405.
[7]	Liu M, Kitai A H, Mascher P. Point defects and luminescence centres in zinc oxide and zinc oxide doped with manganese[J].J. Lumin.,1992,54:35-42.
[8]	徐彭寿, 孙玉明, 施朝淑,等. ZnO及其缺陷的电子结构[J]. 中国科学(A辑), 2001,31(4):358-365.
[9]	刘益春, 张喜田, 张吉英,等. 氧化锌可见区发光机制[J].发光学报,2002,23(6):563-569.
[10]	逄茂林, 林君, 于敏, 等. 发光薄膜的制备及应用[J]. 液晶与显示, 2002,17(5):372-380.
[11]	刘博阳, 杜国同, 杨小天, 等. MOCVD法氧化锌单晶薄膜生长[J]. 液晶与显示,2004,19(2):99-102.
[12]	李树玮, 小池一步. ZnO材料的生长及表征[J]. 液晶与显示, 2004,19(3):178-181.
[13]	Look D C, Reynolds D C, Fong Z Q, et al. Point defect characterization of GaN and ZnO[J]. Materials Science and Engineering B, 1999,66:30-32.
[14]	Bagnall D M, Chen Y F, Shen M Y, et al. Room temperature stimulated emission from zinc oxide epilayers grown by plasma-assisted MBE[J]. J. Cryst. Growth,1998,184/185:605-609.

上一张下一张

计量

下载量()
访问量()

作者相关

文章评分

您的评分：
1

0%
2

0%
3

0%
4

0%
5

0%

材料期刊网