氮-铟共掺杂ZnO薄膜的制备及表征

液晶与显示 , 2005, 20(3): 200-204. doi: 10.3969/j.issn.1007-2780.2005.03.006

氮-铟共掺杂ZnO薄膜的制备及表征

边继明 ^1, , 李效民 ^2, , 张灿云 ^3, , 赵俊亮 ^4, , 于伟东 ^5, , 高向东 ^6,

1.中国科学院,上海硅酸盐研究所,高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,上海,200050

2.中国科学院,上海硅酸盐研究所,高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,上海,200050

3.中国科学院,上海硅酸盐研究所,高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,上海,200050

4.中国科学院,上海硅酸盐研究所,高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,上海,200050

5.中国科学院,上海硅酸盐研究所,高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,上海,200050

6.中国科学院,上海硅酸盐研究所,高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,上海,200050

基金项目: 上海市科技发展基金(022261035) 国家重点基础研究发展计划(973计划)(2002CB613306)

关键词： ZnO薄膜 , 超声喷雾热分解 , N-In 共掺杂 , 光致发光

Growth and Characterization of N-In Codoped ZnO Films Deposited on Glass Substrates

以醋酸锌水溶液为前驱体,分别以醋酸铵和硝酸铟为氮(N)源和铟(In)源,采用超声喷雾热解法在石英玻璃衬底上沉积了氮-铟(N-In)共掺杂ZnO薄膜.采用X射线衍射、场发射扫描电镜、霍尔效应、塞贝克效应、光致发光谱等分析方法,研究了N-In共掺杂对所得ZnO薄膜的晶体结构、电学和光学性能的影响规律.结果表明:通过氮-铟共掺杂,ZnO薄膜的电学和光学性能发生明显改变.优化工艺条件下,所得ZnO基薄膜结构均匀致密,电阻率为 6.75×10-3 Ω·cm,并且在室温光致发光谱中检测到很强的近带边紫外发光峰,表明薄膜具有较理想的化学计量比和较高的光学质量.

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