内置单端口SRAM是单片集成的TFT-LCD驱动控制电路芯片中的重要模块,主要功能是存储CPU送来的一帧画面的显示图像数据以及输出数据到显示单元,其主要性能指标是存储速度和消耗功率.文章讨论了内置SRAM的分块存储结构,阐述了SRAM存储单元的设计方法.在预充电路的设计中采用了分块预充机制,既节省了功耗又保证了预充时间,同时提出了预充时位线电荷再利用设计方案,使得预充电功耗降低了1/2左右.采用0.25 μm CMOS工艺设计并实现了TFT-LCD驱动控制电路芯片中的SRAM模块,其容量为418 kbits.NanoSim仿真结果表明,SRAM存储单元的读写时间小于8 ns,当访存时钟频率为3.8 MHz时,静态功耗为0.9 mW,动态功耗小于3 mW.
参考文献
| [1] | 李亚利,张方辉.TFT-LCD切割裂片工艺参数探讨[J].液晶与显示,2006,21(1):43-47. |
| [2] | 任光,叶斌,杨大春,等.数字TFT-LCD驱动电路实验研究[J].液晶与显示,2006,21(1):87-215. |
| [3] | Kiyoo Itoch,Kenichi Osada.Reviews and future prospects of low-voltage embedded RAMS[C]//IEEE 2004 Custom Intergrated Circuits Conference,2004:339-344. |
| [4] | 高武,魏廷存,张萌.手机用TFT-LCD Source Driver 电路模块研究与设计[J].液晶与显示,2006,21(1):50-55 |
| [5] | 丁行波,魏廷存,张萌,等.手机用TFT-LCD驱动控制芯片电源模块设计[J].液晶与显示,2006,21(1):61-65. |
| [6] | [美] Sharma Ashok K.先进半导体存储器--结构、设计与应用[M].北京:电子工业出版社,2005:39-52. |
| [7] | 于海涛.SRAM设计和Compiler技术[D/OL].万方学位论文全文数据库[2006-03-27].http://202.117.255.185/kns50/scdbsearch/scdetail.aspx?QueryID=6&CurRec=5. |
| [8] | [美]毕查德·拉扎维.模拟CMOS集成电路设计[M].西安:西安交通大学出版社,2003:13-19. |
| [9] | Yang Se-Hyun,Falsafi Babak.Near-optimal precharging in high-performance nanoscale CMOS caches[J].IEEE Microarchitecture,2003,36:67-78. |
| [10] | Cheng Shin-Pao,Huang Shi-Yu.A low-power SRAM design using quiet-bitline architecture[J].IEEE Computer Society,2005,(3-5):135-139 |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分：
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%