采用2DMOS模拟软件对数据线与其相邻像素电极所构成的耦合电容Cpd进行了模拟,重点研究了介电常数对数据线左右侧的耦合电容Cpd的影响机理及趋势.通过模拟得出:数据线左侧的耦合电容Cpd主要受液晶层间的电场力影响,数据线右侧的耦合电容Cpd主要受到耦合电容Cpd间的电场力影响,而总耦合电容Cpd中占主要部分的是右侧耦合电容Cpd,因此可通过降低右侧耦合电容Cpd的方法来降低总耦合电容Cpd.
参考文献
| [1] | 范志新.液晶器件工艺基础[M].北京邮电大学出版社,2000:76-77. |
| [2] | 吴洪江,王威,龙春平.一种TFT-LCD Vertical Block Mura 的研究与改善[J].液晶与显示,2007,22(4):433-439. |
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