ZnO薄膜及ZnO-TFT的性能研究

1.中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130033;中国科学院,研究生院,北京,100049;北方液晶工程研究开发中心,吉林,长春,130033

2.中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130033;北方液晶工程研究开发中心,吉林,长春,130033

3.中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130033

4.中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130033;中国科学院,研究生院,北京,100049;北方液晶工程研究开发中心,吉林,长春,130033

5.中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130033;中国科学院,研究生院,北京,100049;北方液晶工程研究开发中心,吉林,长春,130033

基金项目: 教育部新世纪优秀人才支持计划(05-0326) 国家自然科学基金(60576054,60576043,60576056,60786013) 长春市科技局产业化项目(2006303)

ZnO Films and Properties of ZnO-TFT

采用MOCVD法在SiNx绝缘薄膜上生长了ZnO薄膜,通过X射线衍射与光致发光光谱表征了ZnO薄膜的质量.其结果是:XRD特征峰半高全宽0.176°,光致发光仅有381.1nm的发光峰,展现了ZnO薄膜光电特性的优势.制备了底栅型ZnO薄膜晶体管,测试表明器件具有明显的场效应特性及饱和特性.

[1]	Du Guotong,Chang Yuehun,Zhang Yuantao,et al.ZnO thin films growth,characteristics and applications[C]//ICSICT 04 Technical Proceeding,Beijing,China:IEEE:2004,2361-2365.
[2]	Bae H S,Seongil Im.Ultraviolet detecting properties of ZnO-based thin film transistors[J].Thin Solid Films,2004,469-470:75-79.
[3]	Cheng Hua-Chi,Chen Chia-Fu,Lee Cheng-Chung.Thin-film transistors with active layers of zinc oxide(ZnO)fabricated by low-temperature chemical bath method[J].Thin Solid Films,2006,498:142-145.
[4]	Yao Q J,Li D J.Fabrication and property study of thin film transistor using rf sputtered ZnO as channel layer[J].J.Non-Crystalline Solids,2005,351:3191-3194.
[5]	Hoffman R L,Norris B J,Wager J F.ZnO-based transparent thin-film transistors[J].Appl.Phys.Lett.,2003,82:733-735.
[6]	张新安,张景文,杨晓东,等.L-MBE法制备以ZnO为沟道层的薄膜晶体管[J].半导体学报,2006,27(6):1501-1504.
[7]	Park Sang-Hee Ko,Hwang Chi-Sun,Lee Jeong-IK,et al.Transparent ZnO thin film transistor array for the application of transparent AM-OLED display[C]//SID 06 Digest,San Francisco,USA:SID,2006:25-28.
[8]	Chiang H Q,Wager J F,Hoffman R L,et al.High mobility transparent thin-film transistors with amorphous zinc tin oxide channel layer[J].Appl.Phys.Lett.,2005,86:013503(1-3).

上一张下一张

计量

作者相关

文章评分