InP/InGaAsHBT湿法化学选择腐蚀技术

1.信息产业部电子第十三研究所,石家庄050051;林大学光集成国家重点实验室,长春130023

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基金项目: 国家科技攻关项目(863-307-15-3-04)

Wet chemical selective etching of InP/InGaAs HBT

用H3PO4:H2O2系和HCl系腐蚀液实现了InP对InGaAs、InGaAs对InP的湿法化学选择腐蚀,并将其应用于InP/InGaAsHBT制作,发射极面积为10μm×20μm的单管共发射极直流增益β为70,截止频率Ft和最大振荡频率Fmax分别为11GHz和12GHz.

[1]	Miyamoto Y.;Rios J.M.M. .Reduction of base-collector capacitance by undercutting the collector and subcollector in GaInAs/InP DHBTs[J].IEEE Electron Device Letters,1996(3):97-99.
[2]	Liou K.-Y.;Chandrasekhar S. .A 5 Gb/s monolithically integrated lightwave transmitter with 1.5 mu m multiple quantum well laser and HBT driver circuit[J].IEEE Photonics Technology Letters,1991(10):928-930.

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