WN/W难熔栅自对准增强型n沟道HFET

1.信息产业部电子第十三研究所,石家庄050051

2.信息产业部电子第十三研究所,石家庄050051

3.信息产业部电子第十三研究所,石家庄050051

4.信息产业部电子第十三研究所,石家庄050051

5.信息产业部电子第十三研究所,石家庄050051

6.信息产业部电子第十三研究所,石家庄050051

7.信息产业部电子第十三研究所,石家庄050051

基金项目: 国防科技预研基金(98J8.4.3)

WN/W anisotype- gate self- aligned process for n- channel HFET

发展了WN/W难熔栅自对准工艺.WN/W栅在850oC下退火,保持了较好的形貌.在此工艺基础上研制出了适用于互补逻辑电路的增强型n沟道异质结场效应晶体管.在1×50μm的HFET中,实现了最大跨导约为56mS/mm,阈值电压为3.5V.与p型HFET的-3V的阈值基本对称.反向击穿电压为4～5V.

[1]	Abrokwah J K.A Manufacturable Complementary GaAs Process[A].,1993:127-130.

上一张下一张

计量

作者相关

文章评分