在无光照条件下测量背栅时,部分半绝缘砷化镓材料呈现明显低频振荡.对振荡特性进行了初步研究,并观察了振荡对GaAsMESFET噪声性能的影响.实验结果表明了采用不同低频振荡特性的材料制备器件时,其噪声性能也有差别.
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