GaAs多量子阱的光电流谱

1.山东大学光电材料与器件研究所,山东250100

2.中国科学院物理研究所,北京100080

3.中国科学院物理研究所,北京100080

基金项目: 中国科学院资助项目(69976016) 教育部科学技术研究项目(Y98G11107)

Photocurrent spectrum of GaAs multiquantum well

在T=77K,测量了GaAs多量子阱的光电流,发现在ν=1312cm-1附近存在一个强电流峰,并且在这强电流峰附近的高波数区还有几个弱峰,强电流峰是量子阱中基态电子向第一激发态跃迁形成的,而弱峰与量子阱势垒以上的电子干涉有关.

[1]	Xu Yuanjian et al.[J].Applied Physics Letters,1995,66(24):3307.
[2]	Toshihiko Makino .[J].IEEE Journal of Oceanic Engineering,1996,32(03):493.
[3]	Levine B F et al.[J].Applied Physics Letters,1990,57(04):383.
[4]	Sadal Adachi .[J].Journal of Applied Physics,1985,58(03):R1-29.
[5]	Manasreh M O .[J].Applied Physics Letters,1990,57(17):1790.

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