1.08μmInAs/GaAs量子点激光器光学特性研究

功能材料与器件学报 , 2000, 6(3): 243-247. doi: 10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.027

1.08μmInAs/GaAs量子点激光器光学特性研究

钱家骏 ^1, , 叶小玲 ^2, , 徐波 ^3, , 韩勤 ^4, , 陈涌海 ^5, , 丁鼎 ^6, , 梁基本 ^7, , 刘峰奇 ^8, , 张金福 ^9, , 张秀兰 ^10, , 王占国 ^11,

1.中国科学院半导体研究所,半导体材料科学实验室,北京100083

2.中国科学院半导体研究所,半导体材料科学实验室,北京100083

3.中国科学院半导体研究所,半导体材料科学实验室,北京100083

4.中国科学院半导体研究所,半导体材料科学实验室,北京100083

5.中国科学院半导体研究所,半导体材料科学实验室,北京100083

6.中国科学院半导体研究所,半导体材料科学实验室,北京100083

7.中国科学院半导体研究所,半导体材料科学实验室,北京100083

8.中国科学院半导体研究所,半导体材料科学实验室,北京100083

9.中国科学院半导体研究所,半导体材料科学实验室,北京100083

10.中国科学院半导体研究所,半导体材料科学实验室,北京100083

11.中国科学院半导体研究所,半导体材料科学实验室,北京100083

基金项目: 国家科技攻关项目(715-014-0040;235-3A) 中国科学院资助项目(69736010)

关键词： InAs/GaAs应变自组装量子点材料 , 量子点激光器 , 电致发光谱(EL) , MBE外延生长

Optical characteristics of 1.08μm InAs/GaAs quantum- dot laser diodes

介绍了InAs/GaAs量子点激光器的材料生长,器件制备及其光学特性的研究.器件为条宽100μm,腔长1600μm未镀膜激器.室温阈值电流密度为221A/cm2,激射波长为1.08μm,连续波工作最大光功率输出为2.74W(双面),外微分效率为88%,经50oC,1000h老化,仍有>1.2W的光功率输出.

参考文献

[1]	Arakawa Y;Sakaki H .[J].Applied Physics Letters,1982,40:939.
[2]	Ledentso N et al.[J].Semiconductor International,1994,28:832.
[3]	Kirstaeder N et al.[J].Electronics Letters,1994,30:1416.
[4]	Mirin R et al.[J].Electronics Letters,1996,32:1732.
[5]	Maximov MV.;Tsatsul'nikov AF.;Lunev AV.;Sakharov AV. Ustinov VM.;Egorov AY.;Zhukov AE.;Kovsh AR.;Kop'ev PS.;Asryan LV. Alferov ZI.;Ledentsov NN.;Bimberg D.;Kosogov AO.;Werner P.;Shernyakov YM. .High-power continuous-wave operation of a InGaAs/AlGaAs quantum dot laser[J].Journal of Applied Physics,1998(10):5561-5563.
[6]	Zhukov A.E.;Kovsh A.R. .3.9 W CW power from sub-monolayer quantum dot diode laser[J].Electronics Letters,1999(21):1845-1847.
[7]	Heinrichsdorff F et al.[J].Applied Physics Letters,2000,76:556.

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