具有穿通基区的双极晶体管光探测器的噪声特性研究

1.香港科技大学物理系,九龙清水湾道,香港特别行政区

2.香港科技大学物理系,九龙清水湾道,香港特别行政区

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Noise characteristics of Si phototransistor with a punchthrough base

提出了一种具有穿通基区的Si双极晶体管光探测器.通过优化器件结构参数,使基区在工作时完全耗尽,从而得到大的光增益和小的噪声电流.实验测光电转换增益大于150,000;器件具有良好的噪声特性,噪声功率与器件的直流偏置电流成正比,即(in2)=2qIcΔf.

[1]	Wang Y;Yang E S;Wang W I .[J].Journal of Applied Physics,1993,74:6978-6981.
[2]	Motchenbacher C D;Connelly J A.Low- noise Electronic System Design[M].New York:John Wiley & Sons,Inc Press,1993
[3]	戴逸松.噪声电子学[M].

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