SI-GaAs晶片的PL mapping表征技术

功能材料与器件学报 , 2000, 6(4): 365-368. doi: 10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.017

SI-GaAs晶片的PL mapping表征技术

李光平 ^1, , 汝琼娜 ^2, , 李静 ^3, , 何秀坤 ^4, , 王寿寅 ^5, , 陈祖祥 ^6,

1.信息产业部电子第四十六研究所,天津55信箱,天津,300192

2.信息产业部电子第四十六研究所,天津55信箱,天津,300192

3.信息产业部电子第四十六研究所,天津55信箱,天津,300192

4.信息产业部电子第四十六研究所,天津55信箱,天津,300192

5.北京伯乐分析生化仪器有限公司,北京100029

6.北京伯乐分析生化仪器有限公司,北京100029

关键词：光致发光光谱 , 砷化镓材料 , 表征材料 , 器件

Characterization of PL mapping for SI-GaAs wafer

研究了扫描光致发光光谱(PL mapping)在表征半绝缘砷化镓(SI-GaAs)材料中的应用,实验结果表明SI-GaAs晶片的PL强度及mapping均匀性对器件性能有着十分密切的关系,所以在为制备器件筛选优质的SI-GaAS材料时,除了电阻率、迁移率、位错密度、碳含量、EL2浓度及其均匀性、晶片表面质量外,PL mapping 也是表征材料质量的一个重要参数.

参考文献

[1]	Yamamoto H et al.[J].Journal of the Electrochemical Society,1989,136:10.
[2]	苑进良.[A].湖南张家界,1997:345.
[3]	Bio-Rad Semiconductor Syytem Division[A].,1998
[4]	李光平;何秀坤.物理检测[M].天津:半导体杂志出版社,1992

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Characterization of PL mapping for SI-GaAs wafer

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