热退火对低温分子束外延GaAs材料深中心的影响

功能材料与器件学报 , 2000, 6(4): 369-371. doi: 10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.018

热退火对低温分子束外延GaAs材料深中心的影响

张砚华 ^1, , 范缇文 ^2, , 陈延杰 ^3, , 吴巨 ^4, , 陈诺夫 ^5, , 王占国 ^6,

1.中国科学院半导体研究所材料科学实验室,北京,100083

2.中国科学院半导体研究所材料科学实验室,北京,100083

3.中国科学院半导体研究所材料科学实验室,北京,100083

4.中国科学院半导体研究所材料科学实验室,北京,100083

5.中国科学院半导体研究所材料科学实验室,北京,100083

6.中国科学院半导体研究所材料科学实验室,北京,100083

关键词：热退火 , 低温MBE , GaAs , 深能级中心

Effects of thermally annealing on deep-levels of low temperature MBE GaAs

利用光致瞬态电流谱(Optical Transient Current Spectrum OTCS)研究了热退火对低温分子束外延GaAs材料深中心的影响.实验结果表明原生和退火的LT-GaAs中都存在三个主要的深中心LT1、LT2、LT3,退火后各峰的相对强度变化很大,特别ILT1/ILT3=C由退火前的C＞＞1到退火后C＜＜1,退火温度越高,C值越小,这主要归因于热退火过程中砷的集聚与沉淀致使与砷反位缺陷AsGa及砷间隙Asi相关的LT1能级浓度的下降,反之,与镓空位VGa相关的LT3能级浓度上升.另外经800℃,10min热退火后,在LT2峰处出现了负瞬态,可能是由于高温退火条件下形成的大尺寸,非共格砷沉淀与GaAs基体间的结构缺陷造成的.

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