固体C70/GaAs接触的界面态及整流特性

功能材料与器件学报 , 2000, 6(4): 436-439. doi: 10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.035

固体C70/GaAs接触的界面态及整流特性

陈开茅 ^1, , 孙文红 ^2, , 武兰青 ^3, , 张伯蕊 ^4, , 吴恩 ^5, , 孙允希 ^6, , 乔永平 ^7,

1.北京大学物理系,北京,100871

2.北京大学物理系,北京,100871

3.北京大学物理系,北京,100871

4.北京大学物理系,北京,100871

5.北京大学物理系,北京,100871

6.北京大学物理系,北京,100871

7.北京大学物理系,北京,100871

基金项目: 中国科学院资助项目(19774003)

关键词：固体C70 , GaAs , 界面态 , 整流性质

Interface states and rectification of solid C70/GaAs contacts

在高真空系统中,将C70膜淀积在(100)晶向n型和p型GaAs衬底上,形成固体C70/n-GaAs 和C70/p-GaAs两种接触.电学测量表明两种接触均是强整流结,在偏压为±1V时,它们的整流比分别大于106和104,以及在固定正向偏压下,它们的电流都是温度倒数的指数函数,从中确定了它们的有效势垒高度分别为0.784eV和0.531eV.深能级瞬态谱(DLTS)和C-t测量发现在C70/GaAs界面上存在一个电子陷阱E(0.640eV)和一个空穴陷阱H3(0.822eV),以及在近界面的固体C70中存在两个空穴陷阱H4(1.155eV)和H5(0.856eV).

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Interface states and rectification of solid C70/GaAs contacts

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