淀积在硅片上起杂质吸除用的多晶硅的研究

1.上海市计量测试技术研究院,

2.上海市计量测试技术研究院,

3.上海硅材料厂,

4.上海硅材料厂,

5.上海硅材料厂,

6.复旦大学材料研究所,

Study of polysilicon deposited on backside surface of silicon wafers for gettering

在器件的高温工艺过程中多晶硅再结晶,晶粒不断地长大,多晶硅层厚因高温氧化而减薄直到完全耗尽.在多晶硅层完全去除后在硅衬底中诱生出高密度的氧化层错起吸除中心作用.多晶硅能促进硅片内的氧沉淀成核和生长,起内吸杂作用.本文提出了多晶硅持续吸杂的机理.

[1]	HUS M .[P].US 4053335,1977-10-11.
[2]	闵靖;陈一;宗祥福等.[J].半导体杂志,1995,20(03):1.
[3]	闵靖.多晶硅吸杂效能的研究[J].固体电子学研究与进展,1995(03):293.
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