低剂量 SIMOX圆片线缺陷和针孔的研究

1.中国科学院上海冶金研究所,

2.中国科学院上海冶金研究所,

3.中国科学院上海冶金研究所,

4.中国科学院上海冶金研究所,

5.中国科学院上海冶金研究所,

基金项目: 国家自然科学基金(59925205)

Investigation of threading dislocation and pinhole density in low dose SIMOX wafers

用 Secco法、 Cu-plating法分别表征了低剂量 SIMOX圆片顶层硅线缺陷、埋层的针孔密度 . 结果显示 , 低剂量 SIMOX圆片的顶层硅缺陷密度低 , 但埋层质量稍差 . 通过注入工艺和退火过程的进一步优化 , 低剂量 SIMOX将是一种有前途的 SOI材料制备工艺 .

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