Si衬底上Ta-N/Cu薄膜性能研究

功能材料与器件学报 , 2002, 8(2): 187-190. doi: 10.3969/j.issn.1007-4252.2002.02.020

Si衬底上Ta-N/Cu薄膜性能研究

周健 ^1, , 夏冠群 ^2, , 刘文超 ^3, , 李冰寒 ^4, , 王嘉宽 ^5, , 郝幼申 ^6,

1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,固态元器件实验室,上海200050

2.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,固态元器件实验室,上海200050

3.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,固态元器件实验室,上海200050

4.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,固态元器件实验室,上海200050

5.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,固态元器件实验室,上海200050

6.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,固态元器件实验室,上海200050

关键词：退火 , 热扩散 , 薄膜电阻

Investigation of the properties of Ta- N/Cu film on Si substrate

对Si衬底上Ta-N/Cu薄膜进行了电学和热学分析,结果发现5000C以下薄膜电阻几乎不变,600～6900C下的退火引起的电阻率降低是由于Ta-N电阻的热氧化和Cu熔化扩散引起的,而6900C以上的电阻率增加是由于Cu引线传输能力减弱所致.为0.18μm以下的超大规模集成电路中的Cu引线和电阻薄膜的制作提供了有益的借鉴.

参考文献

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Investigation of the properties of Ta- N/Cu film on Si substrate

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