SOI的自加热效应与SOI新结构的研究

功能材料与器件学报 , 2002, 8(2): 205-210. doi: 10.3969/j.issn.1007-4252.2002.02.024

SOI的自加热效应与SOI新结构的研究

林青 ^1, , 谢欣云 ^2, , 朱鸣 ^3, , 张苗 ^4, , 林成鲁 ^5,

1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海200050

2.中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海200050

3.中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海200050

4.中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海200050

5.中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海200050

基金项目: 国家重点基础研究发展计划(973计划)(G20000365) 国家自然科学基金(90101012)

关键词：自加热效应 , 沟道电流 , 跨导畸变 , 负微分迁移率 , SOI新结构

Study on self- heating effect and new structures of SOI material

阐述了自加热效应产生的原因以及它对SOI电路的影响,并介绍了为克服自加热效应和满足某些特殊器件和电路的要求,国内外正在竞相探索研究的新型SOI结构,如SOIM、SilicononAlN、GPSOI、SiCOI、GeSiOI、SON、SSOI等.结合SOI新结构制备工作,报道了SOI的自加热效应及其新结构的研究进展.

参考文献

[1]	COLINGE J.Silicon- on- Insulator Technology[M].Academic Publishers,1991:1.
[2]	Adan A O;Naka T .[J].Electrochemical Society Proceedings,1997,23:340.
[3]	Vasudev PK .[J].Solid-State Electronics,1996,39(04):481.
[4]	Naoki Yasuda;Shuichi Ueno .[J].Japanese Journal of Applied Physics,1991(30):3677-3684.
[5]	Bunyan R J;Uren M .[J].IEEE Transactions on Electron Devices,1992,13(05):279-281.
[6]	Anthony L;Agis A .[J].IEEE Transactions on Electron Devices,1993,14(03):133-135.
[7]	Lisa T;Antoniadis A .[J].IEEE Transactions on Electron Devices,1994,15(10):374-376.
[8]	Jomaah J;Ghibaudd G .[J].Solid-State Electronics,1995,38(03):615-618.
[9]	Robert H;Clement Wann .[J].IEEE Transactions on Electron Devices,1995,16(02):67-69.
[10]	Bernard M;Michael S .[J].IEEE Transactions on Electron Devices,1996,43(12):2240-2248.
[11]	Jonathan S;Robert M .[J].IEEE Transactions on Electron Devices,1997,44(06):L957-964.
[12]	Yuhua Cheng;Fjeldly T.A. .Unified physical I-V model including self-heating effect for fully depleted SOI/MOSFET's[J].IEEE Transactions on Electron Devices,1996(8):1291-1296.
[13]	郑陶雷,罗晋生.薄膜SOI LDMOS自加热效应的表征及相关因素探究[J].电子电力技术,2000(02):51-53.
[14]	McDaid L.J.;Hall S. .Physical origin of negative differential resistance in SOI transistors[J].Electronics Letters,1989(13):827-828.
[15]	Tenbroke B M;Lee M S L.23rd European Solid- State Circuits Conference[C].Southampton,UK,16- 18 September,1997
[16]	Brodsky J S;Fox R M;Zweidinger .[J].IEEE Transactions on Electron Devices,1997,46(12):2333-2339.
[17]	Rayssac O;Moriceau H;Olivier M.[J].SILICON-ON-INSULATOR TECHNOLOGY AND DEVICES X,2001
[18]	林成鲁;张苗;王连卫等.[P].中国发明专利:981220673
[19]	Rayssac O;Moriceau H;Olivier M.SILICON- ON- INSULATOR TECHNOLOGY AND DEVICES X[A].Y:W:Kim,2001
[20]	Serre C;Pere-Rodriguez A;Romano- Rodriguez A;Morante J R.[A].,2001
[21]	Gianni Taraschi;Zhi-Yuan Cheng.[J].SILICON-ON-INSULATOR TECHNOLOGY AND DEVICES X,2001
[22]	Thomas Skotnicki.[M].SILICON- ON- INSULATOR TECHNOLOGY AND DEVICES,X,2001

上一张下一张

计量

下载量()
访问量()

作者相关

文章评分

您的评分：
1

0%
2

0%
3

0%
4

0%
5

0%

材料期刊网

SOI的自加热效应与SOI新结构的研究

Study on self- heating effect and new structures of SOI material

参考文献