GaAsFET的表面漏电

1.专用集成电路国家重点实验室,石家庄市,050051

2.电子材料研究所,天津,300192

3.复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海,200433

Current leakage about GaAsFET surface

GaAs及其他Ⅲ-Ⅴ族半导体的表面漏电问题一直是人们感兴趣的研究课题,它对化合物半导体器件和电路的性能有重要的影响. Na+沾污 GaAs表面使表面漏电大幅度上升,硫钝化 GaAs 场效应管大幅度减少了表面态.本文详细介绍本研究组在 GaAsFET表面漏电的研究进展.

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