nc-Si:H薄膜的内应力特性研究

功能材料与器件学报 , 2003, 9(3): 285-290. doi: 10.3969/j.issn.1007-4252.2003.03.010

nc-Si:H薄膜的内应力特性研究

韦文生 ^1, , 王天民 ^2, , 张春熹 ^3, , 李国华 ^4, , 韩和相 ^5, , 丁琨 ^6,

1.北京航空航天大学理学院材料物理与化学研究中心,北京,100083;北京航空航天大学光电技术研究所,北京,100083

2.北京航空航天大学理学院材料物理与化学研究中心,北京,100083

3.北京航空航天大学光电技术研究所,北京,100083

4.中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083

5.中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083

6.中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083

基金项目: 高等学校博士学科点专项科研项目(200220006037) 国家高技术研究发展计划(863计划) 北京航空航天大学校科研和教改项目

关键词： nc-Si:H薄膜 , 微结构 , 内应力

Study on intrinsic stress of nc-Si: H film

测试了采用 PECVD生长的氢化纳米硅(nc-Si:H)薄膜的内应力.利用 XRD、 Raman、AFM、HRTEM研究了nc-Si:H薄膜的微结构,用全场薄膜应力测试仪测量了 nc-Si:H薄膜的内应力.结果表明: nc-Si:H薄膜的内应力与薄膜的微结构密切相关,强烈依赖于制备工艺.压应力随掺杂浓度的提高而增加;在一定功率密度范围内掺磷 nc-Si:H薄膜的压应力随功率密度增加而减少,并过渡为张应力;在 373-523K之间,掺硼 nc-Si:H薄膜的压应力随衬底温度升高而增加;nc-Si:H薄膜的压应力随氢气对硅烷稀释比的变化而变化.

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