设计并制造了一种基于SOI材料的直波导可调谐光衰减器,其调制区采用了独特的双脊型PIN结构,增强了注入电流场与光场的重叠,提高电注入效率.该VOA可实现20dB的光功率衰减量,所需要的最大功率为650mW,器件的片内插入损耗约为3.6dB.
参考文献
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[2] | Liu Y.L.;Liu E.K. .Silicon 1*2 digital optical switch using plasma dispersion[J].Electronics Letters,1994(2):130-131. |
[3] | Soref R A;Bennett B R .Electro - optical effects in silicon[J].IEEE Journal of Oceanic Engineering,1987,23(01):123-129. |
[4] | Soref R A;Schimidtchen J;Petermann K .Large Single mode rib waveguide in GeSi/Si and Si - on - SiO2[J].IEEE Journal of Oceanic Engineering,1991,27(08):1971-1974. |
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