GaAs霍尔元件不等位电势的调制消除

1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050;中国科学院研究生院,北京,100039

2.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050

3.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050

基金项目: 上海市汽车工业科技发展基金

Offset reduction of GaAs Hall plate

测试了 MESFET工艺条件下制作的霍尔片的基本性能.对设计出的 GaAs集成霍尔元件进行了不等位电势的测试,采用霍尔元件并联和自旋电流的方法对 GaAs方形霍尔元件的不等位电势进行了静态和动态调制消除.实验结果表明 GaAs霍尔元件的不等位电势引起的偏差可以控制在可以忽略的范围内.

[1]	Popovie R S.[M].Bristol,UK:Adam Hilger,1991:195-197.
[2]	Maupin J T;Geske M L.The Hall Effect and its Applications[M].Plenum Press,1980:421-445.

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