退火温度对sol-gel制备的ZnO薄膜的结构影响

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5.深圳大学师范学院化生系,深圳,518060

基金项目: 广东省深圳市科技计划广东省自然科学基金(021286)

Influence of heat-treatment temperature on ZnO thin film prepared by sol-gel method

采用sol-gel旋涂法在抛光硅<111>晶面生长了高度C轴取向的ZnO薄膜.DSC以及XRD测试结果显示此溶胶系统的最佳退火温度为450℃左右,更高的退火温度将对薄膜的择优取向产生不利的影响.SEM显示薄膜表面致密、均匀、光滑,组成薄膜的颗粒尺寸在50～100nm,并显示出良好的C轴择优取向.

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