欢迎登录材料期刊网

材料期刊网

高级检索

在电子辅助热丝CVD中,研究刀具预处理对金刚石薄膜生长速度的影响.在保持生长条件不变的前提下,经酸腐蚀处理的刀具的侧、背面镀铜能使金刚石薄膜的生长速度从没有镀铜时的4μm/h增加到镀铜后的10.6μm/h.镀铜处理提高了刀具的电导率,使得热丝发射的电子在偏压电场的作用下,在刀具表面附近聚集,加速氢气和丙酮的裂解,从而提高金刚石薄膜生长速度.SEM和Raman测试结果表明,高速生长的金刚石薄膜仍然具有很高质量.

参考文献

[1] 王季陶;郑培菊 .人造金刚石低压合成的非平衡定态相图研究[J].科学通报,1995,40(11):1056.
[2] 张志明;张伟东;沈荷生 等.金刚石薄膜热沉在大电流稳压集成电路中的应用[J].半导体技术,1997,22:41-44.
[3] 方志军,夏义本,居建华,王林军,张伟丽,王志明.氧化铝陶瓷衬底上金刚石[100]织构生长的氦增强刻蚀[J].功能材料与器件学报,2001(03):253-257.
[4] Zhang W J;Jiang X .The growth characteristics of (001) oriented diamond layers on (111) diamond face via bias-assisted chemical vapor deposition[J].Applied Physics Letters,1996,68(16):2195-2197.
[5] Zhang WJ.;Xia YB.;Jiang X. .THE SELECTIVE ETCHING WITH H+ IONS AND ITS EFFECT ON THE ORIENTED GROWTH OF DIAMOND FILMS[J].Journal of Applied Physics,1997(4):1896-1899.
[6] Walter A Yarbrough;Russell Messier .Current Issues and Problems in the chemical Vapor Deposition of Diamond[J].Science,1990,247:688-696.
[7] 顾长志.电子增强化学气相沉积法制备金刚石膜[J].高压物理学报,1994(03):220.
[8] 王瑜;夏义本;王鸿 .MPCVD沉积金刚石薄膜时等离子体中电子的作用[J].功能材料与器件学报,1998,4(03):182-186.
上一张 下一张
上一张 下一张
计量
  • 下载量()
  • 访问量()
文章评分
  • 您的评分:
  • 1
    0%
  • 2
    0%
  • 3
    0%
  • 4
    0%
  • 5
    0%