4H-SiC衬底AlGaN/GaN HEMTs台面隔离技术的改进

功能材料与器件学报 , 2006, 12(3): 247-250. doi: 10.3969/j.issn.1007-4252.2006.03.019

4H-SiC衬底AlGaN/GaN HEMTs台面隔离技术的改进

王冲 ^1, , 张进城 ^2, , 郝跃 ^3, , 杨燕 ^4,

1.宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071

2.宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071

3.宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071

4.宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071

基金项目: 国家研究发展基金(2002CB3119) 西安电子科技大学校科研和校改项目(03002)

关键词：高电子迁移率晶体管 , 台面隔离 , 泄漏电流

Improvements of mesa isolation techniques for AlGaN/GaN HEMTs on 4H - SiC substrate

采用离子注入和ICP干法刻蚀相结合的台面隔离技术提高了4H-SiC衬底AlGaN/GaNHEMTs的直流特性和高频特性.与只采用干法刻蚀进行台面隔离的器件相比,相邻器件有源区之间的泄漏电流减少了两个数量级,栅肖特基泄漏电流在栅漏电压为-40V时由38.5μA减小到1.2μA,截止频率由3.2 GHz提高到6.7 GHz.分析了器件泄漏电流减小和频率特性提高的原因.

参考文献

[1]	Trew R J;Shin M W;Gatto V .High Power Application For GaN-Based Device[J].Solid-State Electronics,1997,41(10):1561-1568.
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[3]	Pearton S J;Shul R J;Mclane G F et al.Reactive ion etching of ⅢⅤ nitrides[J].Solid-State Electronics,1997,41(06):159-163.
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Improvements of mesa isolation techniques for AlGaN/GaN HEMTs on 4H - SiC substrate

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