CdZnTe共面栅探测器的电子俘获修正方法

功能材料与器件学报 , 2006, 12(5): 423-428. doi: 10.3969/j.issn.1007-4252.2006.05.013

CdZnTe共面栅探测器的电子俘获修正方法

闵嘉华 ^1, , 桑文斌 ^2, , 钱永彪 ^3, , 王昆黍 ^4, , 刘洪涛 ^5, , 詹峰 ^6, , 秦凯丰 ^7, , 樊建荣 ^8,

1.上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系,上海,200072

2.上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系,上海,200072

3.上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系,上海,200072

4.上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系,上海,200072

5.上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系,上海,200072

6.上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系,上海,200072

7.上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系,上海,200072

8.上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系,上海,200072

基金项目: 上海市重点学科建设项目(T0101) 上海市教委资助项目(02AK30) 上海市科委资助项目(03DZ11006) 国家自然科学基金(10575069)

关键词： CZT共面栅器件 , 权重势 , 电子俘获 , 电荷感应效率

Methods of electron trapping correction in CdZnTe coplanar-grid detector

采用有限元方法模拟共面栅探测器的权重势分布,通过计算器件的电荷感应效率(CIE)以及感应信号,研究了CdZnTe共面栅器件的电子俘获修正技术,结果表明采用调整两组栅极输出信号的相对增益G的方法,可以有效地修正由于电子俘获造成的器件响应在深度上的不均匀;通过将次外条收集栅和非收集栅分别加宽一倍可以使两组栅电极的权重势分布在器件宽度上具有良好的均匀性,在此基础上采用调整增益G值来修正电子俘获,可使CdZnTe共面栅器件在深度和宽度方向上均得到均匀的响应特性.

参考文献

[1]	Butler J.F.;Lingren C.L. .Cd/sub 1-x/Zn/sub x/Te gamma ray detectors[J].IEEE Transactions on Nuclear Science,1992(4):605-609.
[2]	MIN Jia-hua,SANG Wen-bing,LI Wan-wan,LIU Hong-tao,YU Fang,WANG Kun-shu,CAO Ze-chun.Parameter Optimization of CdZnTe Crystal Growth Simulated by Finite Element Method[J].半导体光子学与技术(英文版),2005(01):20-27.
[3]	Min Jiahua;Sang Wenbin.Improving the properties of CdZnTe Crystals by annealing processes[J].RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERING
[4]	闵嘉华,桑文斌,钱永彪,李万万,刘洪涛,樊建荣.CdZnTe晶体生长用石英管的镀碳工艺研究[J].功能材料与器件学报,2005(02):255-258.
[5]	Luke P N .Single-polarity charge sensing in ionization detectors using coplanar electrodes[J].Applied Physics Letters,1994,65:2884-2886.
[6]	He Z.;Wehe DK.;Miyamoto J.;Knoll GF. .POSITION-SENSITIVE SINGLE CARRIER CDZNTE DETECTORS[J].Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section A. Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment,1997(1/2):180-185.
[7]	郁芳,桑文斌,李万万,滕建勇.有限元模拟对CdZnTe共面栅探测器的优化设计[J].功能材料与器件学报,2003(01):61-66.
[8]	JIN Wei;SANG Wen-bin;ZHANG Qi;MIN Jia-Hua;SHEN Yan .Electrode Design of Cylindrical Coplanar―grid CdZnTe Detector by Finite Element Methods[J].Semiconductor photonics and technology,2004(1):48-52.
[9]	任少军,桑文斌,金玮,李万万,张奇,闵嘉华.CdZnTe核探测器的蒙特卡罗模拟的初步研究[J].高能物理与核物理,2004(02):191-195.
[10]	Ramo S.Currents Induced by Electron Motion[A].,1939:584-585.
[11]	Eisen Y .Current state-of-the-art industrial and research applications using room-temperatrue CdTe and CdZnTe solid state detectors[J].Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A:Accelerators,Spectrometers,Detectors and Associated Equipment,1996,380(1-2):431-439.
[12]	Lingren C.L.;Butler J.F. .Evaluating the performance of semiconductor radiation detectors through static charge analysis[J].IEEE Transactions on Nuclear Science,1998(3):1723-1725.

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