不同组分PZT压电薄膜的性能

功能材料与器件学报 , 2007, 13(2): 123-128. doi: 10.3969/j.issn.1007-4252.2007.02.005

不同组分PZT压电薄膜的性能

邵春玉 ^1, , 王兢 ^2, , 刘梦伟 ^3, , 董维杰 ^4, , 崔岩 ^5,

1.大连理工大学电子与信息工程学院,大连,116023

2.大连理工大学电子与信息工程学院,大连,116023;辽宁省微纳技术及系统重点实验室,大连理工大学,大连,116023

3.大连理工大学微系统中心,大连,116023

4.大连理工大学电子与信息工程学院,大连,116023;辽宁省微纳技术及系统重点实验室,大连理工大学,大连,116023

5.大连理工大学微系统中心,大连,116023;辽宁省微纳技术及系统重点实验室,大连理工大学,大连,116023

基金项目: 国家自然科学基金(90207003;60474052)

关键词：锆钛酸铅 , 溶胶-凝胶 , 前烘温度 , 薄膜组分 , 电滞回线

Properties of PZT thin films with different compositions

采用sol-gel工艺在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了不同条件的锆钛酸铅(PZT)薄膜.分析了不同的前烘温度、不同锆钛比例对PZT薄膜的微观结构和电特性所产生的影响.SEM分析结果显示,铁电薄膜的晶化较完善,薄膜表面均匀致密.用X射线衍射分析了不同条件制备的PZT薄膜,表明薄膜的微观结构和取向不仅对热处理的条件非常敏感,而且也深受薄膜组分的影响.铁电测试表明对PZT(锆/钛=30/70),300℃热处理的薄膜具有最大的自发极化值.而对于不同锆钛比的薄膜,在准同型相界附近的53/47配比的PZT薄膜表现出最好的铁电性、介电性和最高的体电阻率.

参考文献

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