短沟道SOI BJMOSFET的阈值电压

功能材料与器件学报 , 2008, 14(4): 831-834. doi: 10.3969/j.issn.1007-4252.2008.04.018

短沟道SOI BJMOSFET的阈值电压

曾云 ^1, , 李晓磊 ^2, , 张燕 ^3, , 张国樑 ^4, , 王太宏 ^5,

1.湖南大学物理与微电子科学学院,长沙,410082

2.湖南大学物理与微电子科学学院,长沙,410082;空军第一航空学院四系,信阳,464000

3.湖南大学物理与微电子科学学院,长沙,410082

4.湖南大学物理与微电子科学学院,长沙,410082

5.湖南大学物理与微电子科学学院,长沙,410082

基金项目: 湖南省自然科学基金(05JJ30115)

关键词：短沟道 , 绝缘衬底上硅 , 双极MOS场效应晶体管 , 阈值电压

Threshold voltage in short-channel SOI BJMOSFET

提出了一种适用于短沟道SOI BJMOSFET阈值电压特性分析的电荷分享物理模型,详细讨论了短沟道SOI BJMOSFET背界面处于积累、反型以及全耗尽三种状态时的阈值电压,并利用Math-ematica软件进行数值模拟得到阚值电压的特性曲线.通过理论分析和计算机模拟,证明短沟道SOI BJMOSFET阈值电压的可控性很强,更适用于现代ULSI低压低功耗的要求.

参考文献

[1]	曾云,金湘亮,颜永红,刘久玲,成世明.Numerical Simulation of BJMOSFET on Current-Voltage Characteristics[J].半导体学报,2000(11):1069-1074.
[2]	曾云,尚玉全,晏敏,盛霞,滕涛,高云.BJMOSFET频率特性的模拟分析[J].湖南大学学报（自然科学版）,2005(01):33-36.
[3]	曾云,滕涛,晏敏,高云,尚玉全.基于SOI的双极场效应晶体管[J].微细加工技术,2004(04):16-21.
[4]	Lim H K;Fossum J G .A charge-based large-signal mod-el for thin-finn SOI MOSFET's[J].IEEE Transactions on Electron Devices,1985,FD-32:446.
[5]	Frohman-Bentchkowsky D;Grove A S .Conductance of MOS transistors in saturation[J].IEEE Transactions on Electron Devices,1969,ED-16:108.

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