相变存储器中选通二极管的模型与优化

功能材料与器件学报 , 2010, 16(6): 536-541. doi: 10.3969/j.issn.1007-4252.2010.06.004

相变存储器中选通二极管的模型与优化

李宜瑾 ^1, , 凌云 ^2, , 宋志棠 ^3, , 贾晓玲 ^4, , 罗胜钦 ^5,

1.同济大学,电子与信息工程学院,上海,201804;中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,纳米技术研究室,上海,200050

2.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,纳米技术研究室,上海,200050

3.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,纳米技术研究室,上海,200050

4.同济大学,电子与信息工程学院,上海,201804

5.同济大学,电子与信息工程学院,上海,201804

基金项目: 中科院"院长特别奖获得者科研启动专项资金"(083YQA1001) 国家863计划(2008AA031402) 国家集成电路重大专项(2009ZX02023-3) 国家重点基础研究发展计划(2007CB935400;2010CB934300;2006CB302700) 上海市科委(08DZ2200700;08JC1421700;09QH1402600)

关键词：相变存储器 , 选通二极管 , 数值模拟

Model and Optimization of Switch-Diode in Phase Change Memory

设计了0.13um标准CMOS工艺下相变存储器(PCM)中选通二极管的二维工艺模型,利用数值模拟方法进行仿真,对模型中关键参数的优化,得到了一个性能优化的P+/N-/N+结构的选通二极管,此选通二极管可在1.47V电压下达到1mA的RESET电流,并且反向击穿电压可以达到11V.文章最后还讨论了工艺尺寸从0.13um到22nm等比例缩小下选通二极管的性能,仿真结果表明这些选通二极管均能在较低电压下提供满足RESET操作的电流.

参考文献

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