PECVD法淀积不同应力状态氮化硅薄膜工艺研究

功能材料与器件学报 , 2011, 17(2): 183-186. doi: 10.3969/j.issn.1007-4252.2011.02.012

PECVD法淀积不同应力状态氮化硅薄膜工艺研究

韩建强 ^1, , 王小飞 ^2, , 刘珍 ^3, , 宋美绚 ^4, , 李青 ^5,

1.中国计量学院机电工程学院,杭州,310018;传感技术国家重点实验室,上海,200050

2.中国计量学院机电工程学院,杭州,310018

3.杭州电子科技大学电子信息学院,杭州,310018

4.中国计量学院机电工程学院,杭州,310018

5.中国计量学院机电工程学院,杭州,310018

基金项目: 国家自然科学基金(61076110) 浙江省自然科学基金(Y1080072)

关键词：微电子机械系统 , 氮化硅 , 等离子化学气相淀积 , 残余应力

Study on the Stress of Silicon Nitride Film Deposited by PECVD

等离子增强化学气相淀积法(PECVD)淀积的氮化硅薄膜具有沉积温度低、生长速率高、均匀性好等优点,在微电子机械系统(Micro-Electromechanical System,MEMS)中的应用越来越广泛,研究其应力状态对研制MEMS器件和系统具有重要意义.本文在大量实验的基础上,淀积出高压应力、低压应力、微应力、低张应力和高张应力五种不同应力状态的氮化硅薄膜,并对残余应力与SiH4/NH3流量比例、射频功率之间的关系进行了说明.

参考文献

[1]	W.A.P Claassen;W G J N V alkenburg .[J].Journal of the Electrochemical Society,1985,132:893-903.
[2]	赵永军,王民娟,杨拥军,梁春广.PECVD SiNx薄膜应力的研究[J].半导体学报,1999(03):183.
[3]	杨景超,赵钢,邬玉亭,许晓慧.PECVD氮化硅薄膜内应力试验研究[J].新技术新工艺,2008(01):77-80.
[4]	王玉林.低应力PECVD氮化硅薄膜工艺探讨[J].固体电子学研究与进展,1999(04):448.
[5]	许淡清,于映.MEMS开关中氮化硅薄膜工艺研究[J].福州大学学报（自然科学版）,2009(01):50-53.
[6]	莫镜辉,刘黎明,太云见,杨培志.氮化硅支撑层薄膜的PECVD法制备及性能研究[J].半导体光电,2007(06):804-807.

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