本文建立了一种新的IGBT三维热模型并运用基于有限元法的分析软件ANSYS软件对其热分布进行了模拟分析.结果表明由于单元的热耦合作用,原包间距在10um时比较合适；在相同的功率(P=1W)条件下,材料热导率随温度的变化导致器件的温度升高了4.8K；当焊料层存在空洞的情况下,器件的温度分布发生了明显的变化,比没有空洞情况下器件的上表面温度上升了24.9K.
参考文献
| [1] | Khanna V.K .Power IGBT design and characterization by two-dimensional thermal Simulation[J].Physics of Semiconductor Devices,2002,4746(02):436-439. |
| [2] | R. Azar;F. Udrea;W.T. Ng;F. Dawson;W. Findlay;P. Waind;G. Amaratunga .Advanced electrothermal Spice modelling of large power IGBTs[J].IEE proceedings.Circuits, devices and systems,2004(3):249-253. |
| [3] | X Perpina;X Jorda;N Mestres;M Vellvehi;P Godignon;J Millan;H von Kiedrowski .Internal infrared laser deflection system: a tool for power device characterization[J].Measurement Science & Technology,2004(5):1011-1018. |
| [4] | 王倩 .IGBT的电热学特性的研究[D].江南大学,2008. |
| [5] | KOKKAS A G .Empirical Relationships between Thermal Conductivity and Temperature for Silicon and Germanium[J].RCA Review,1974,35(04):579-581. |
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