LD泵浦Nd:YVO4晶体1342 nm激光实验研究

量子电子学报 , 2000, 17(5): 400-404. doi: 10.3969/j.issn.1007-5461.2000.05.003

LD泵浦Nd:YVO4晶体1342 nm激光实验研究

张恒利 ^1, , 杨乾锁 ^2, , 竺乃宜 ^3, , 侯玮 ^4, , 许祖彦 ^5,

1.中国科学院力学研究所高温气体动力学开放实验室,北京,100080

2.中国科学院力学研究所高温气体动力学开放实验室,北京,100080

3.中国科学院力学研究所高温气体动力学开放实验室,北京,100080

4.中国科学院物理研究所光物理实验室,北京,100080

5.中国科学院物理研究所光物理实验室,北京,100080

关键词：激光二极管 , LD泵浦 , Nd:YVO4晶体

Laser Diode End-pumped Nd:YVO4 Lasers at 1342 nm

报道了采用不同腔长、不同透过率的输出镜及不同搀杂浓度的晶体时,激光二极管端面泵浦Nd:YVO4晶体1342 nm激光的输出特性.对三种不同搀杂浓度的晶体的实验结果表明,输出为基横模,在输出1W时,稳定性皆优于0.2%;搀杂浓度较高的晶体,在泵浦功率逐渐增加时更容易饱和.采用0.5%搀杂的晶体,最大获得3 W激光输出,斜效率43.7%.

参考文献

[1]	Tuker A W,Birnbaum M,Fincher C L et al.Continuous-wave operation of Nd:YVO4 at 1.06 and 1.34 μm.J.Appl.Phys.,1976,48:4907～4911
[2]	Plaessmann H,Yamada K S,Rich C E et al.Subnanosecond pulse gerneration from diode-pumped acousto-optically Q-switched solid-state lasers.Appl.Opt.,1993,32:6616～6619
[3]	Bowkett G C,Baxter G C,Booth D J et al.Single-mode 1.34 μm Nd:YVO4 microchip laser with cw Ti:sapphire and diode-laser pumping.Opt.Lett.,1994,957～959
[4]	王长青,沈德元,卢建仁等.激光二极管泵浦的1.34μm及其腔内倍频红光Nd:YVO4激光器.中国激光,1999,A24(7):577～580
[5]	Conroy R S,Kemp A J,Friel G L et al.Microchip Nd:vanadate lasers at 1342 and 671 nm.Opt.Lett.,1997,1781～1783
[6]	Agnesi A,Reali G C,Gobbi P G.430 mW single-transverse-mode diode-pumped Nd:YVO4 laser at 671 nm.IEEE J.Quantum Electron.,1998,34:1297
[7]	张恒利,何京良,侯玮等.半导体激光泵浦Nd:YVO4激光器的1.34μm输出特性.中国激光,1999,A26(6):481～485
[8]	He Jingliang,Zhang Hengli et al.Generation of cw radiation of 273 mW at 671 nm from a diodepumped intracavity-doubled Nd:YVO4 laser.Chin.Phy.Lett.,1998,15(5):343～344
[9]	张恒利,何京良,陈毓川等.激光二极管抽运Nd:YVO4晶体1342 nm和671 nm激光器研究.物理学报,1998,47(9):1579～1584

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