脉冲激光淀积MgF2薄膜的制备及性质研究

量子电子学报 , 2004, 21(1): 48-50. doi: 10.3969/j.issn.1007-5461.2004.01.012

脉冲激光淀积MgF2薄膜的制备及性质研究

于琳 ^1, , 韩新海 ^2, , 王冠中 ^3, , 揭建胜 ^4, , 廖源 ^5, , 余庆选 ^6, , 方容川 ^7,

1.中国科学技术大学结构分析开放研究实验室,安徽,合肥,230026;中国科学技术大学物理系,安徽,合肥,230026

2.中国科学技术大学结构分析开放研究实验室,安徽,合肥,230026;中国科学技术大学物理系,安徽,合肥,230026

3.中国科学技术大学结构分析开放研究实验室,安徽,合肥,230026;中国科学技术大学物理系,安徽,合肥,230026

4.中国科学技术大学结构分析开放研究实验室,安徽,合肥,230026;中国科学技术大学物理系,安徽,合肥,230026

5.中国科学技术大学结构分析开放研究实验室,安徽,合肥,230026;中国科学技术大学物理系,安徽,合肥,230026

6.中国科学技术大学结构分析开放研究实验室,安徽,合肥,230026;中国科学技术大学物理系,安徽,合肥,230026

7.中国科学技术大学物理系,安徽,合肥,230026

基金项目: 国家自然科学基金(59976038)

关键词：薄膜光学 , 脉冲激光淀积 , MgF2薄膜 , 透过率

Preparation and Properties of MgF2 Thin Film by Pulsed Laser Deposition

本文采用脉冲激光淀积方法(PLD)制备了MgF2光学薄膜,并对其表面形貌以及光学性质进行了测试分析,X射线光电子能谱分析显示MgF2样品具有很好的化学组分配比,F/Mg原子比在1.9～2.1之间,接近于体材料;在可见光波段其光学透过率为60%～80%,在红外波段更是达到了90%以上,由KK变换计算MgF2的折射率大约为1.39,也接近于体材料的折射率1.38.

参考文献

[1]	Sun Zhaoqi, et al. A study on the electrical conductivity of Cu-MgF2 nanopartical cermet films [J]. Acta Physica Sinical (物理学报), 2003, 52(6): 1455-1460 (in Chinese).
[2]	Atanassov G. Mechanical, optical and structural properties of TiO2 and MgF2 thin films deposited by plasma ion assisted deposition [J]. Thin Solid Films, 1999, 342: 83-92.
[3]	Martinu L, Biederman H, Holland L. Thin films prepared by sputtering MgF2 in an rf planar magnetron [J].Vacuum, 1985, 35(12): 531.
[4]	Joseph M, Tabata H, Kawai T. Ferroelectric behavior of Li-doped ZnO thin films on Si(100) by pulsed laser deposition [J]. Appl. Phys. Lett., 1999, 74: 2534-2536.
[5]	Cho K G, Kumar D, Lee D G. Improved luminescence properties of pulsed laser deposited Eu:Y2O3 thin films on diamond coated silicon substrates [J]. Appl. Phys. Lett., 1997, 71: 3335-3337.
[6]	Shinde S R, Ogale S B, Greene R L. Superconducting MgB2 thin films by pulsed laser deposition [J]. Appl. Phys.Lett., 2001, 79: 227-229.

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