CdSe量子点的制备与荧光特性研究

量子电子学报 , 2004, 21(4): 528-531. doi: 10.3969/j.issn.1007-5461.2004.04.027

CdSe量子点的制备与荧光特性研究

茅惠兵 ^1, , 陈静 ^2, , 李志峰 ^3, , 戴宁 ^4, , 朱自强 ^5,

1.华东师范大学电子系,上海,200062;中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室,上海,200083

2.中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室,上海,200083

3.中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室,上海,200083

4.中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室,上海,200083

5.华东师范大学电子系,上海,200062

基金项目: 上海市重点基础研究项目(03DJ14002) 国家重点实验室基金(200401)

关键词：半导体光电 , 量子点 , CdSe , 荧光

Fabrication and photoluminescence investigation of CdSe quantum dots

主要讨论了CdSe量子点的制备及荧光特性.CdSe量子点由化学方法制备,通过选择不同的反应时间得到不同尺度的量子点样品.用荧光方法研究了量子点样品在石英衬底和有机溶剂中的荧光特性.实验表明,这些量子点都有良好的荧光特性.还用无限深球方势阱模型分析了量子点样品的电子态,并根据荧光参数估算了量子点的尺度.各样品荧光峰具有一致的半峰宽,表明CdSe量子点的成核过程在反应开始时同时完成.

参考文献

[1]	Qu Lianhua, et al. Alternative routes toward high quality CdSe nanocrystal [J]. Nono Lett., 2001, 1: 333-337.
[2]	Adam P Z, Peng Xiaogang. Nearly monodisperse and shape-controlled CdSe nanocrystals via alternative routes:nucleation and growth [J]. J. Am. Chem. Soc., 2002, 124: 3343-3553.
[3]	Hess B C, Okhrimenko I G, Davis R C, et al. Surface transformation and photoinduced recovery in CdSe nanocrystals [J]. Phys. Rev. Lett., 2001, 86: 3132-3135.
[4]	Maehashi K, Kobayashi K, Ota T, et al. J. of Crystal Growth, 2000, 214/215: 752-755.
[5]	Shen Xuechu. Semiconductor Spectroscopy and Optical Properties (半导体光谱与光学性质) [M]. 2nd Ed. Beijing:Sciences Press, 2002. 720-730 (in Chinese).
[6]	Du Jingning, Mayer J W, Feldman L C. Electronic thin Film Sciences (电子薄膜科学) [M]. Beijing: Sciences Press,1997. 296-303 (in Chinese).

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