AlInGaAs/AlGaAs应变量子阱增益特性研究

量子电子学报 , 2005, 22(1): 85-89. doi: 10.3969/j.issn.1007-5461.2005.01.016

AlInGaAs/AlGaAs应变量子阱增益特性研究

盖红星 ^1, , 李建军 ^2, , 韩军 ^3, , 邢艳辉 ^4, , 邓军 ^5, , 俞波 ^6, , 沈光地 ^7, , 陈建新 ^8,

1.北京工业大学光电子技术实验室,北京,100022

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8.北京工业大学光电子技术实验室,北京,100022

基金项目: 国家重点基础研究发展计划(973计划)(G20000683-3)

关键词：光电子学 , 应变量子阱 , 光增益 , AlInGaAs , 半导体激光器

Studies on the gain characteristic of the AlInGaAs/AlGaAs strain quantum well

采用Shu Lien Chuang方法计算了AlInGaAs/AlGaAs应变引起价带中重、轻空穴能量变化曲线,在Harrison模型的基础上详细地计算了AlInGaAs/AlGaAs和GaAs/AlGaAs量子阱电子、空穴子能级分布并且进一步研究了这两种材料在不同注入条件下的线性光增益.进一步计算比较可以得出AlInGaAs/AlGaAs应变量子阱光增益特性要优于GaAs/AlGaAs非应变量子阱增益特性,因此AlInGaAs/AlGaAs应变量子阱半导体材料应用于半导体激光器比传统GaAs/AlGaAs材料更具优势.

参考文献

[1]	Wang Qiming. The progress of the semiconductor laser(Ⅱ) [J]. Physics(物理), 1996 25(3): 140～148 (inChinese).
[2]	Zhang Jianming. Optical gain spectrum theory and experiment of AlGaAs/GaAs multi- quantum well lasers [J].Chinese Journal of Semiconductors (半导体学报), 1992, 13(2): 67～74 (in Chinese).
[3]	Chuang S L. Effect band-structure calculation of strain quantum wells [J]. Phys. Rev., 1991, 43: 9649; Physics of Optoelectronic Devices [M]. New York: Wiley, 1995.
[4]	Minch J, Park S H, et al. Theory and experiment of In1-xGaxAsyP1_y and In1-x-yGaxAlyAs long-wavelength strained quantum-well lasers [J]. IEEE Journal of Quantum Electronics, 1999, 35(5): 771～782.
[5]	Li Jianjun. Study of the high efficiency high power semiconductor lasers with multi-active regions and large coupoed optical cavity [D]. Beijing Polytechnic University Doctoral Disertation, 2001, 23～36.

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